ion-implantation-gas-11bf3-sagi-2

離子植入氣體

11B Enriched Boron Trifluoride (11BF3)

三氟化硼(11B),半導體離子佈植用特殊氣體。

  • 安全可靠的吸附材式負壓鋼瓶儲存
  • 半導體業界多年來使用的吸附材料

產品特色

分色管理,開關指示

鋼瓶採顏色管理,獨立氣體產線,不混用鋼瓶,無產線汙染風險。

閥門具開關指示,易於分辨閥門開關狀態。

多樣鋼瓶規格

多種鋼瓶尺寸可供選擇,客製化灌充量,瓶徑與閥口採業界通流規格,無須改機即可使用。

快速出貨

台灣充填,常備庫存,即時出貨,交期迅速。

氣體與對應鋼瓶規格

SAG I 吸附式負壓鋼瓶
充填氣體 容器容積 閥頭種類 可供克數
AsH3 2.2L/3.6L 1/2" MVCR 700g/960g
PH3 2.2L/3.6L 1/2" MVCR 230g/325g
11BF3 3.95L 1/4" MVCR 280g
GeF4/72GeF4 2.2L 1/4" MVCR 800g
SAG II 機械式負壓鋼瓶
充填氣體 容器容積 閥頭種類 可供克數
11BF3 2.2L 1/4" MVCR 525g
11BF3/H2 2.2L 1/4" MVCR 525g
72GeF4/H2 2.2L 1/4" MVCR 525g

客戶服務

  • 專責運輸,7*24小時服務,安全迅速。
  • 緊急應變,快速支援。

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